薄膜沉积是指在硅片衬底上沉积一层待处理的薄膜材料，所沉积薄膜材料可以是二氧化硅、氮化硅、多晶硅等非金属以及铜等金属。薄膜沉积设备主要负责各个步骤当中的介质层与金属层的沉积。
受益下游晶圆厂持续扩产，全球薄膜沉积设备长期稳健增长。根据Gartner统计，2021年全球薄膜沉积设备市场规模达190亿美元，2025年有望突破340亿美元，2021-2025年CAGR达15.7%。
从设备的工艺类别来看，PECVD占比达33%，位列第一，溅射PVD和ALD分别以19%和11%位列第二、第三，而SACVD属于新兴设备类型，占比较小，归于其他薄膜沉积设备类下。
全球缺芯大背景下，我国本土晶圆厂扩产情绪高企，产能扩张速度显著高于其他国家地区。
据IC Insights数据估计，2022年至2026年我国大陆将新增25座12英寸晶圆厂，总规划月产能合计超160万片，为国内薄膜沉积设备市场带来广阔需求空间。
根据Gartner统计2021年全球薄膜沉积设备市场规模约为190亿美元，我们根据国内薄膜沉积设备占比30%计算，2021年我国薄膜沉积设备市场规模为57亿美元，预计到2025年市场规模将突破100亿美元，对应CAGR为15%。
国产替代加速背景下，本土晶圆厂国产设备使用率大幅提升，国内薄膜沉积设备厂商有望充分受益，有望迎来快速增长期。
薄膜沉积设备的主流工艺包括CVD（化学气相沉积）设备、PVD（物理气相沉积）设备/电镀设备和ALD（原子层沉积）设备：
（1）化学气相沉积设备（CVD）：
主要用于制备高纯、高性能固体薄膜。在典型的CVD工艺过程中，把一种或多种蒸汽原子或分子引入腔室中，在外部能量作用下发生化学反应并在衬底表面形成需要的薄膜。由于CVD技术具有成膜范围广、重现性好等优点，被广泛用于多种不同形态的成膜。根据反应类型和压力的不同CVD设备可以分为PECVD、LPCVD、APCVD、SACVD等。相比传统的CVD设备，PECVD设备在相对较低的反应温度下形成高致密度、高性能薄膜，不破坏已有薄膜和已形成的底层电路，实现更快的薄膜沉积速度，推动了IC制造技术从亚微米发展到90nm。
（2）物理气相沉积设备（PVD）：
在真空条件下，通过先将材料源（固体或液体）表面气化成气态原子、分子或部分电离成离子，并通过低压气体(或等离子体)过程，在基体表面沉积具有某种特殊功能的薄膜的技术。PVD镀膜技术主要分为三类：真空蒸发镀膜、真空溅射镀和真空离子镀膜。对应于PVD技术的三个分类，相应的真空镀膜设备就有真空蒸发镀膜机、真空溅射镀膜机和真空离子镀膜机这三种。主流仍为溅射法，此应用下形成的薄膜附着力较强、薄膜质量较好、应用范围广，蒸镀以及离子镀方法应用较少。
（3）原子层沉积设备（ALD）：
隶属于CVD的一种，在镀膜过程中两种或更多的化学气相前驱体依次在基底表面发生化学反应从而产生固态的薄膜。依据反应原理可进一步分为PE ALD和Thermal ALD两种。PE ALD是通过等离子体离解反应气体提供反应所需的活性基团的技术，主要沉积介质薄膜，用于SADP工艺和STI工艺；Thermal ALD是一种通过加热的方法来为薄膜沉积过程的化学吸附提供活化能的技术，主要沉积金属化合物薄膜，用于HKMG工艺。
整体来看行业基本由AMAT、ASML、Lam Research、TEL等国际巨头垄断。
CVD设备而言，全球AMAT、LAM、TEL三足鼎立，合计占据市场70%份额，国内主要企业为拓荆科技、北方华创；
PVD设备方面，AMAT一家独大，占据全球87%的市场份额，国内北方华创正逐步开启国产化之路；
ALD设备方面，ASM、TEL寡头垄断市场，合计占据75%市场份额，国内设备厂商拓荆科技、北方华创、盛美上海均有布局，但占比较小。
按2021年的收入占比大致推算，目前国内企业的半导体薄膜设备市占率不足10%，存在广阔提升空间，考虑半导体设备板块国产替代加速，预计国产半导体设备厂商市占率有望迎来快速提升期。
拓荆科技(688072.SH)：
国产薄膜沉积设备龙头，坐拥中芯国际、长江存储大客户。
公司主要产品包括等离子体增强化学气相沉积（PECVD）设备、原子层沉积（ALD）设备和次常压化学气相沉积（SACVD）设备三个产品系列，拥有自主知识产权，技术指标达到国际同类产品先进水平，现已广泛应用于国内晶圆厂14nm及以上制程集成电路制造产线，并已展开10nm及以下制程产品验证测试。
微导纳米(688147.SH)：
首套用于300mm（12英寸）晶圆的High-k栅氧层薄膜沉积的ALD设备在客户28nm生产线上获得验证，设备总体表现和工艺关键性能参数达到国际同类水平，并已取得客户重复订单，实现了国产半导体ALD设备在28nm集成电路制造关键工艺量产线上的突破。
北方华创(002371.SZ)：
公司PVD产品布局广泛，近几年陆续推出了TiN PVD、AIN PVD、Al Pad、ALD等13款自主研发的PVD产品并成功产业化，可应用于集成电路、先进封装、LED等领域。
公司自主设计和生产的exiTin H630 TiN金属硬掩膜PVD系统是国内首台专门针对55-28nm制程12寸金属硬掩膜设备。该设备的研发和量产实现了我国高端集成电路PVD设备零的突破和技术跨越，也成为国内首台28nm工艺后段金属布线硬掩膜标准制程机台；核心技术和工艺参数与国际最先进的竞争对手在客户端的表现一致，甚至优于竞争对手。
2016年，公司28nm/12英寸晶圆生产的TiN Hardmask PVD进入国际供应链体系；2017年公司紧随市场需求，更新设备工艺，推出适用于28-14nm制程的大马士革工艺的exiTin H430 TiN Hardmask PVD系统。
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