锦州神工半导体股份有限公司，于2013年在辽宁省锦州市创立。公司专注于集成电路刻蚀用单晶硅材料的研发、生产和销售。凭借高质量的产品和完善的售后服务，公司在集成电路刻蚀材料领域树立了良好的口碑，已成功进入国际先进半导体材料产业链体系，并确立了行业领先地位。公司所拥有的无磁场大直径单晶硅制造技术、固也共存界面控制技术、热场尺寸优化工艺等技术都已处于国际先进水平。目前公司拥有20多项专利。公司产品几乎全部出口到日本、韩国和美国的主流客户，国际市场占有率13-15%。近年来随着半导体国产替代进程的加速，公司将不断开拓创新，在服务好原有国际客户的基础上，开发服务好国内新客户(目前已是国内北方华创、中微公司客户)。公司连年连续业绩高增长，被国家评为“专精特新小巨人企业”。
公司董事长总经理潘连胜，男，1964年生，博士生学历，中国国籍。1988年至1993年航天部研究院工程师，1994年至1998年日本早稻田大学攻读，1998年至2007年历任日本东芝株式会社研究员、销售经理，2007年至2013年任可跋凌材料公司销售经理，及可跋凌上海分公司总经理;2013年创立锦州神工半导体有限公司。现任公司董事长、总经理。
公司主营业务为大直径硅材料、硅零部件、半导体大尺寸硅片及其应用产品的研发、生产和销售。
公司的第一大核心技术是大直径单晶硅无尾制造技术，公司主要产品已打入国际先进半导体材料供应链，可满足先进制程芯片制造刻蚀环节对硅材料的工艺要求;公司的第二大核心技术是硅电极小孔加工及清洗技术，公司在高纯材料+高精加工清洗一体化能力领先，其盈利能力超越同行业水平。硅电极的下游为晶圆工厂和刻蚀厂商，随着国内晶圆厂的扩张和刻蚀机国产替代的加速，公司将充分享受国产替代带来的份额;公司第三大核心技术是低缺陷晶体生长技术，该技术是高端硅片生产技术中的核心工艺之一，目前公司拥有的轻掺杂低缺陷工艺规格高，直接对标海外龙头企业，国内很难规模化生产。以上技术高筑公司竞争壁垒，保障了公司成本竞争优势，2021年综合毛利率高达64.07%。同时公司设立子公司进军碳化硅领域。
公司于2020年2月21日于科创板上市。发行价21.67。发行市盈率32.53。募集资金7.75亿。
公司募集资金主要投向半导体轻掺低缺陷大硅片抛光片，直接对标日韩等海外龙头。达产后生产规模年产180万片抛光片和36万片陪片。截止目前，月产5万片已实现规模化生产(今年底达产)，年另月产10万片的生产设备正在安装调试当中。年产180万片的生产设备现已全部采购完毕。公司将根据市场需求规模逐渐推进安装生产。同时加速国内名流厂商的产品技术评估认证(现在国内下游厂商主要依赖进口国外高端片)，目前公司已小批量供应某日本厂商，同时已进入国内主流集成电路制造商认证体系，并已开启多款硅片评估送样工作。
受原材料价格上涨、硅片产能爬坡及下游厂商2.3季度库存调整延期交货等影响，今年前三季度销售3.9亿，同比增长11.8%，净利润1.4亿元，同比下降20%，业绩增速短期承压。11月4是公司公告——10月份公司接受国内几十家投资机构调研时说，公司第三季度库存有所增加主要是二三季度“被动交期调整”造成，库存更多体现为产成品增加，原材料增加占比较少。进入10月份来公司陆续收到下游客户的需求计划，要求公司尽快加紧交付。公司预计将在四季度向客户交付二三季度受交期调整而未发货的库存成品。同时，公司原材料价格四季度将出现拐点下降。预计公司四季度及全年业绩将大幅改观，完成全年计划。
风险提示:下游厂商扩产不及预期;半导体国产化不及预期;主要产品国内认证进度不及预期等。
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